【[铜川][本地]MCU回收内存芯片一站式回收】

更新时间: 2025-03-19 08:44:00

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性能方面，连续读取速度均为3500MB/s，写入速度分别为1200MB/s、2300MB/s、3000MB/s。256GB款随机读写性能为220K/290K IOPS，而容量更大的两款为390K/380K IOPS。S40G支持LDPC纠错技术，能提高传输准确性和使用寿命，还支持端对端数据保护、AES 256-bit加密和RAID引擎。

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K1工厂将用于生产3D NAND Flash，以支持在数据中心、智能和自动驾驶汽车等应用中不断增长的存储需求。 K1工厂的建设预计将在2019年秋季完成。TMC和西部数据主要联合投资一些生产设备，这些设备将能支持96层3D NAND Flash从2020年开始实现产出，预计2020年晚些时候开始量产。

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